Моя заявка (0)

BUK4D38-20PX,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Surface Mount

BUK4D38-20PX,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004138243
Артикул
BUK4D38-20PX
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.2
Структура
P-Channel
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 102 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор MOS DISCRETES

Технические параметры

Вес, г0.2
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада19 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокDFN2020MD-6
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора16 nC
Время нарастания17 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности19 W
Id - непрерывный ток утечки18 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток38 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе-
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения23 ns
Типичное время задержки при включении6 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.20 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт19
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.026 Ом

Техническая документация