Моя заявка (0)

BUK4D38-20PH,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 18 A, 0.03 ohm, DFN2020MD, Surface Mount

BUK4D38-20PH,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 18 A, 0.03 ohm, DFN2020MD, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046435857
Артикул
BUK4D38-20PH
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±12V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 102 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канал 20 В, 6 А (Ta), 18 А (Tc), 2 Вт (Ta), 19 Вт (Tc) для поверxностного монтажа DFN2020MD-6

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±12V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.001
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
СтруктураP-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 6A, 8V
Особенности-
Power Dissipation (Max)2W(Ta), 19W(Tc)
Supplier Device PackageDFN2020MD-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1025 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A(Ta), 18A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.03 Ом

Техническая документация