Моя заявка (0)
BUK4D16-20X, MOSFETs BUK4D16-20/ SOT1220/SOT1220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006218455
Артикул
BUK4D16-20X
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
9 ns
Rise Time:
7 ns
Вес, г
3
Цена по запросу
(от 68,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальные автомобильные МОП-транзисторы Nexperia Малосигнальные автомобильные МОП-транзисторы обеспечивают высокую надежность работы и полное соответствие стандарту AEC-Q101. Nexperia предлагает широкий ассортимент малосигнальныx МОП-транзисторов с сопротивлением стока-истока в рабочем состоянии до 15 Мом, максимальным током стока до 6 А и вариантами напряжения стока-истока от 20 В до 100 В. Эти устройства Nexperia предлагаются в различныx типаx корпусов для обеспечения гибкости дизайна, с возможностью подключения DFN со свинцом и без свинца.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:9 ns
Rise Time:7 ns
Вес, г3
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:DFN-2020MD-6
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934661594115
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:15 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:19 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns
Id - Continuous Drain Current:26 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:14.4 S
Rds On - Drain-Source Resistance:16 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.3 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А26
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт19
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)25 mOhms

Техническая документация