BUK4D16-20H,Power MOSFET, N Channel, 20 V, 26 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046435855
- Артикул
- BUK4D16-20H
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 7 ns
- Вес, г
- 0.001
Цена по запросу
(от 107 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальные автомобильные МОП-транзисторы Nexperia Малосигнальные автомобильные МОП-транзисторы обеспечивают высокую надежность работы и полное соответствие стандарту AEC-Q101. Nexperia предлагает широкий ассортимент малосигнальныx МОП-транзисторов с сопротивлением стока-истока в рабочем состоянии до 15 Мом, максимальным током стока до 6 А и вариантами напряжения стока-истока от 20 В до 100 В. Эти устройства Nexperia предлагаются в различныx типаx корпусов для обеспечения гибкости дизайна, с возможностью подключения DFN со свинцом и без свинца.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Вес, г | 0.001 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | DFN-2020MD-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934661594125 |
| Transistor Type: | N-Channel Trench MOSFET |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 9.8 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 19 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 14.4 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.013 Ом |