BUB323ZT4G, Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 350В; 10А; 150Вт; D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029502168
- Артикул
- BUB323ZT4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- BUB323Z
- Вес, г
- 1
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 398 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
350 В 500@4.6V,5 Транзисторы Дарлингтона A NPN 10A 150 Вт D2PAK, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | BUB323Z |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | d2pak |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-263-3(D2PAK) |
| Product Type: | Darlington Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Darlington Transistors |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | -65℃~+175℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 10A |
| Power Dissipation (Pd) | 150W |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Transition frequency (fT) | 2MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| DC current gain (hFE@Vce,Ic) | 500@4.6V, 5A |
| Continuous Collector Current: | 10 A |
| Maximum DC Collector Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 500 |
| Collector-emitter voltage (Vceo) | 350V |
| Collector cut-off current (Icbo@Vcb) | 100uA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 350 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.7V@10A, 250mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 150 |