Моя заявка (0)

BU508AW,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 700 V, 8 A, 125 W, TO-247, Through Hole

BU508AW,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 700 V, 8 A, 125 W, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8313427299
Артикул
BU508AW
Бренд
STMicroelectronics
Pin Count
3
Вес, г
6.804
Package Type
TO-247
Корпус
TO-247 | TO247
Цена по запросу
(от 563 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Широкий ассортимент биполярныx транзисторов NPN и PNP от STMicroelectronics, включая транзисторы общего назначения, Дарлингтона, силовые и высоковольтные устройства в корпусаx SMT и Through hole.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г6.804
Package TypeTO-247
КорпусTO-247 | TO247
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Minimum DC Current Gain10
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation125 W
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current8 A
Maximum Emitter Base Voltage9 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage700 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт125
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин10…30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В700
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В1500

Техническая документация