Моя заявка (0)

BU508AF, Транзистор биполярный, стандартный

BU508AF, Транзистор биполярный, стандартный

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021884885
Артикул
BU508AF
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
No
RoHS
Details
SVHC
Yes
Цена по запросу
(от 490 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
RoHSDetails
SVHCYes
TypeNPN
BrandSTMicroelectronics
Width15.7 mm
Brand:STMicroelectronics
Height14.7 mm
Length26.7 mm
Series1000V Transistors
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Packaging:Tube
Вес, г5.81
PCB changed3
Part StatusActive
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Subcategory:Transistors
Корпусsot199
ConfigurationSingle
Manufacturer:STMicroelectronics
Package Width5.7(Max)
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseISOWATT-218FX-3
Package Length15.7(Max)
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:ISOWATT-218FX-3
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Supplier PackageISOWATT218FX
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity300
Standard Package NameTO
Factory Pack Quantity:300
Pd - Power Dissipation50000 mW
SVHC Exceeds ThresholdYes
Minimum DC Current Gain10@0.1A@5V|5@4.5A@5V
Pd - Power Dissipation:50 W
Emitter- Base Voltage VEBO9 V
Supplier Temperature GradeIndustrial
Emitter- Base Voltage VEBO:9 V
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO9 V
Continuous Collector Current8 A
Maximum DC Collector Current8 A
Continuous Collector Current:8 A
Maximum DC Collector Current:8 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)50000
Maximum DC Collector Current (A)8
Maximum Emitter Base Voltage (V)9
Collector- Emitter Voltage VCEO Max700 V
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1 V
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)700
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)1.1@2A@4.5A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)1@1.6A@4.5A
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт125
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин6
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц4
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В800
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В1500

Техническая документация