BU508AF, Bipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004825142
- Артикул
- BU508AF
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- RoHS
- Details
- SVHC
- Yes
Цена по запросу
(от 328,15 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| RoHS | Details |
| SVHC | Yes |
| Type | NPN |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 15.7 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Height | 14.7 mm |
| Length | 26.7 mm |
| Series | 1000V Transistors |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | sot199 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package Width | 5.7(Max) |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | ISOWATT-218FX-3 |
| Package Length | 15.7(Max) |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | ISOWATT-218FX-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Supplier Package | ISOWATT218FX |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity | 300 |
| Standard Package Name | TO |
| Factory Pack Quantity: | 300 |
| Pd - Power Dissipation | 50000 mW |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Minimum DC Current Gain | 10@0.1A@5V|5@4.5A@5V |
| Pd - Power Dissipation: | 50 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 9 V |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 9 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 9 V |
| Continuous Collector Current | 8 A |
| Maximum DC Collector Current | 8 A |
| Continuous Collector Current: | 8 A |
| Maximum DC Collector Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 50000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 8 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 9 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 700 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 700 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 700 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@2A@4.5A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1@1.6A@4.5A |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 125 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 6 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1500 |