Моя заявка (0)

BTS282ZE3230AKSA2, Trans MOSFET N-CH 49V 80A 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101

BTS282ZE3230AKSA2, Trans MOSFET N-CH 49V 80A 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002180400
Артикул
BTS282ZE3230AKSA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
PPAP
Unknown
SVHC
Yes
Цена по запросу
(от 111 000 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
PPAPUnknown
SVHCYes
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count7
AutomotiveYes
Вес, г1
PCB changed7
Part StatusLTB
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220
ConfigurationSingle Triple Source
Package Width4.4
Package Height9.25
Package Length10
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)36
Typical Rise Time (ns)37
Особенностиавтомобильные приложения
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)300000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)155
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)155@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)30
Maximum Drain Source Voltage (V)49
Typical Turn-Off Delay Time (ns)70
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Continuous Drain Current (A)80
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)3850@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)6.5@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В49
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В