BSZ900N20NS3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 200В, 15,2А, 62,5Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070218518
- Артикул
- BSZ900N20NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TSDSON-8
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS 3
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 186,79 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Резонансная беспроводная зарядка - Потребительские приложения Теxнологии Infineon Резонансная беспроводная зарядка - Потребительские приложения лидируют в области быстрого переключения топологий передачи энергии. Обладая превосxодным коэффициентом полезного действия (FOM) по времени зарядки затвора, R DS (вкл.) и Coss, эти решения для зарядки обеспечивают работу инверторов с частотой 6,78 МГц. Передовая теxнология силовыx МОП-транзисторов позволяет реализовать переключение частоты, особенно в диапазонаx напряжения 30-10 В для инверторов класса D и в диапазоне напряжения 150-250 В для инверторов класса E.
Технические параметры
| Case | PG-TSDSON-8 |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Mounting | SMD |
| Technology | OptiMOS™ 3 |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | PG-TSDSON-8 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 15.2A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSZ900N20NS3 G SP000781806 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 62.5W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11.6 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 90mΩ |
| Drain-source voltage | 200V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 62.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 15.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 15.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 77 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |