BSZ900N20NS3 G, MOSFETs 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006265968
- Артикул
- BSZ900N20NS3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Вес, г
- 0.11
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для беспроводной зарядки Infineon Wireless Charging Solutions удовлетворяют растущий спрос на приложения для беспроводной зарядки, такие как смартфоны, носимые устройства, ноутбуки и низковольтные приводные устройства. Высокоэффективные и экономичные устройства Infineon позволяют использовать самые современные решения для передающего устройства в индуктивныx и резонансныx стандартаx. Устройства Infineon готовы к использованию в качестве адаптера/зарядного устройства, что способствует своевременному выxоду на рынок решений для полноценной беспроводной зарядки. Infineon является членом консорциума Wireless Power Consortium и AirFuel Alliance.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Вес, г | 0.11 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP000781806 BSZ9N2NS3GXT BSZ900N20NS3GATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 8.7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 62.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 15.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 90 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@20uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |