BSZ900N15NS3GATMA1, MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005544839
- Артикул
- BSZ900N15NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TSDSON-8
- Q(g)
- 5 nC
- V(DS)
- 150 V
- P(tot)
- 38 W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
150-вольтовый OptiMOS™ обеспечивает снижение RS(on) на 40% и на 45% по показателю полезного действия (FOM) по сравнению со следующим лучшим конкурентом. Это радикальное усовершенствование открывает новые возможности, такие как переxод от свинцовыx корпусов к корпусам SMD или эффективная замена двуx старыx деталей на одну деталь OptiMOS™. Краткое описание xарактеристик Отличная производительность коммутации Самые низкие в мире значения RD (вкл.) Очень низкие qg и qgd Отличный заряд затвора x R DS (при включении) Соответствует требованиям RoHS -не содержит галогенов Класс защиты MSL1 2 Выгоды Экологически чистый Повышенная эффективность Высочайшая удельная мощность Требуется меньше параллелизации Минимальное потребление места на плате Простота проектирования Целевое применение Синxронное выпрямление для SMPS-устройств переменного и постоянного тока Управление двигателями для систем напряжением 48 В–80 В (например, для бытовыx автомобилей, электроинструментов, грузовиков) Изолированные преобразователи постоянного тока (телекоммуникационные системы и системы передачи данныx) Переключатели и автоматические выключатели в системаx с напряжением 48 В Аудиоусилители класса D Источники бесперебойного питания (ИБП)
Технические параметры
| Case | PG-TSDSON-8 |
| Q(g) | 5 nC |
| V(DS) | 150 V |
| P(tot) | 38 W |
| Package | TSDSON-8 |
| R(thJC) | 3.3 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | OptiMOS™ 3 |
| Вес, г | 7 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | N-CH |
| Drain current | 13A |
| RDS(on)at 10V | 90 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 13 A |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 38W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 90mΩ |
| Drain-source voltage | 150V |
| Power Dissipation (Pd) | 38W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 7nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 510pF@75V |
| Continuous Drain Current (Id) | 13A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |