Моя заявка (0)
BSZ900N15NS3 G, MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006210460
Артикул
BSZ900N15NS3 G
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
3 ns
Rise Time:
4 ns
Вес, г
0.04
Цена по запросу
(от 111,11 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:3 ns
Rise Time:4 ns
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TSDSON-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SP000677866 BSZ9N15NS3GXT BSZ900N15NS3GATMA1
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:7 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:38 W
Typical Turn-On Delay Time:4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:8 ns
Id - Continuous Drain Current:13 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:6 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)74 mOhms

Техническая документация