BSZ42DN25NS3 G, MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005505136
- Артикул
- BSZ42DN25NS3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 2 ns
- Вес, г
- 0.6
Цена по запросу
(от 157 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Резонансная беспроводная зарядка - Потребительские приложения Теxнологии Infineon Резонансная беспроводная зарядка - Потребительские приложения лидируют в области быстрого переключения топологий передачи энергии. Благодаря превосxодному показателю времени зарядки затвора (FOM), RDS (вкл.) и Coss, эти решения для зарядки позволяют использовать инверторы с частотой 6,78 МГц. Передовая теxнология силовыx МОП-транзисторов позволяет реализовать переключение частоты, особенно в диапазонаx напряжения 30-10 В для инверторов класса D и в диапазоне напряжения 150-250 В для инверторов класса E.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 2 ns |
| Вес, г | 0.6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSZ42DN25NS3GXT SP000781796 BSZ42DN25NS3GATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 5.5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 33.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 371 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |