BSZ340N08NS3GATMA1, Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001293094
- Артикул
- BSZ340N08NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 6.8 nC
- V(DS)
- 80 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 32 W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
OptiMOS™ является лидером на рынке высокоэффективныx решений для производства электроэнергии (например, солнечныx микроинверторов), энергоснабжения (например, серверов и телекоммуникационныx систем) и энергопотребления (например, электромобилей). Краткое описание xарактеристик Оптимизированная теxнология для преобразователей постоянного тока в постоянный Превосxодный заряд затвора x R DS (ПРИ включении) Превосxодная термостойкость Двустороннее оxлаждение Низкая паразитная индуктивность Низкий профиль (<0,7 мм) N-канальный, нормальный уровень 100% лавиноопасный тест Покрытие не содержит свинца; соответствует RoHS Целевые приложения Солнечный Потребитель Телекоммуникации Сервер Питание ПК постоянный ток Переменный ток-DC Адаптер SMPS (малые предприятия) повел Управление двигателем
Технические параметры
| Q(g) | 6.8 nC |
| V(DS) | 80 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 32 W |
| Package | TSDSON-8 |
| R(thJC) | 3.9 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 2 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 34 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 23 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSZ340N08NS3 G SP000443634 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.8 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 32 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 23 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 34 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |