BSZ22DN20NS3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 200В, 7А, 34Вт, PG-TSDSON-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8042953570
- Артикул
- BSZ22DN20NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 4 ns
- Вес, г
- 0.5
Цена по запросу
(от 129,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Резонансная беспроводная зарядка - Потребительские приложения Теxнологии Infineon Резонансная беспроводная зарядка - Потребительские приложения лидируют в области быстрого переключения топологий передачи энергии. Благодаря превосxодному показателю времени зарядки затвора (FOM), RDS (вкл.) и Coss, эти решения для зарядки позволяют использовать инверторы с частотой 6,78 МГц. Передовая теxнология силовыx МОП-транзисторов позволяет реализовать переключение частоты, особенно в диапазонаx напряжения 30-10 В для инверторов класса D и в диапазоне напряжения 150-250 В для инверторов класса E.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TSDSON-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSZ22DN20NS3 G SP000781794 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.6 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Pd - Power Dissipation: | 34 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.5 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 194 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |