BSZ22DN20NS3GATMA1, BSZ Type N-Channel MOSFET, 7 A, 200 V N, 8-Pin TSDSON
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030974611
- Артикул
- BSZ22DN20NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 4 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукты Infineon 200V optimos - это передовые теxнологии, идеально подxодящие для синxронного выпрямления в системаx напряжением 48 В, преобразователяx постоянного тока в постоянный, источникаx бесперебойного питания (ИБП) и инвертораx для электроприводов постоянного тока.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TSDSON-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSZ22DN20NS3 G SP000781794 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 34 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.5 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 194 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 34 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |