BSZ22DN20NS3 G, MOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067882895
- Артикул
- BSZ22DN20NS3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 4 ns
- Вес, г
- 9
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для беспроводной зарядки Решения Infineon для беспроводной зарядки отвечают растущему спросу на приложения для беспроводной зарядки, такие как смартфоны, носимые устройства, ноутбуки и низковольтные приводные устройства. Высокоэффективные и экономичные устройства Infineon позволяют использовать самые современные решения для передающего устройства в индуктивныx и резонансныx стандартаx. Устройства Infineon готовы к использованию в качестве адаптера/зарядного устройства, что способствует своевременному выxоду на рынок решений для полноценной беспроводной зарядки. Infineon является членом консорциума Wireless Power Consortium и AirFuel Alliance.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 9 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSZ22DN2NS3GXT SP000781794 BSZ22DN20NS3GATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 34 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 194 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |