BSZ215CHXTMA1,Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003008628
- Артикул
- BSZ215CHXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 4.7 ns, 1.4 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 2 ns, 3.7 ns
Цена по запросу
(от 222 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Дополнительные силовые МОП-транзисторы Infineon - n-канальный и p-канальный силовые МОП-транзисторы в одном корпусе - являются частью известного семейства низковольтныx устройств OptiMOS, лидера на рынке высокоэффективныx решений для выработки электроэнергии, энергоснабжения и энергопотребления.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 4.7 ns, 1.4 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 2 ns, 3.7 ns |
| Вес, г | 0.006 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | NPN |
| Package Type | PG-TSDSON-8 LTI |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | SMD |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSZ215C H SP001277210 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel, 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 700 pC, 590 pC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.4 ns, 4.9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20/20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11.3 ns, 12.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.1 A, 3.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4 S, 5.5 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.1/3.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms, 95 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V, 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.041 Ом |