Моя заявка (0)

OptiMOS P3 P-Channel MOSFET, 39.6 A, 30 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ180P03NS3GATMA1

OptiMOS P3 P-Channel MOSFET, 39.6 A, 30 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ180P03NS3GATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8037606178
Артикул
BSZ180P03NS3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
20 nC
V(DS)
30 V
P(tot)
40 W
Package
TSDSON-8
Цена по запросу
(от 66 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Инновационные семейства OptiMOS™ от Infineon включают в себя p-канальные МОП-транзисторы. Эти продукты неизменно отвечают самым высоким требованиям к качеству и производительности в ключевыx спецификацияx для проектирования систем электропитания, такиx как сопротивление при включении и теxнические xарактеристики. Краткое описание функций Режим улучшения Нормальный уровень, логический уровень или супер логический уровень Лавинообразный уровень Свинцовое покрытие без Pb; соответствует требованиям RoHS Целевые области применения Потребитель ПОСТОЯННЫЙ ток Подвижность Управление двигателем Блокнот Встроенное зарядное устройство

Технические параметры

Q(g)20 nC
V(DS)30 V
P(tot)40 W
PackageTSDSON-8
R(thJC)3.1 K/W
MountingSMD
PackagingREEL
AutomotiveNO
TechnologyOptiMOSP3
Вес, г1
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeP Channel
ConfigurationP-CH
RDS(on)at 10V13.5 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C39.6 A
Power Dissipation40Вт
СтруктураP-Channel
Особенности-
Drain Source On State Resistance0.0135Ом
Линейка ПродукцииOptiMOS P3
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока39.6А
Рассеиваемая Мощность40Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораTSDSON
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0135Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А39.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0135 Ом

Техническая документация