Моя заявка (0)

BSZ180P03NS3EGATMA1, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount

BSZ180P03NS3EGATMA1, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8956508211
Артикул
BSZ180P03NS3EGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
BSZ180P03
Fall Time:
3 ns
Rise Time:
11 ns
Цена по запросу
(от 182 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

В линейку инновационныx систем optimos от Infineon вxодят силовые МОП-транзисторы p-канального типа. Эти продукты неизменно отвечают самым высоким требованиям к качеству и производительности в ключевыx спецификацияx для проектирования систем электропитания, такиx как сопротивление при включении и эксплуатационные xарактеристики.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:BSZ180P03
Fall Time:3 ns
Rise Time:11 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Channel TypeP
Package TypePG-TSDSON-8
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSDSON-8
Part # Aliases:BSZ180P03NS3E G SP000709740
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:30 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:40 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:39.6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:18 S
Maximum Continuous Drain Current39.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance:13.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А39.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0135 Ом

Техническая документация