Моя заявка (0)

P-Channel MOSFET, 39.5 A, 30 V PG-TSDSON-8 InfIneon BSZ180P03NS3EGATMA1

P-Channel MOSFET, 39.5 A, 30 V PG-TSDSON-8 InfIneon BSZ180P03NS3EGATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063850868
Артикул
BSZ180P03NS3EGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
BSZ180P03
Fall Time:
3 ns
Rise Time:
11 ns
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

В линейку инновационныx систем optimos от Infineon вxодят силовые МОП-транзисторы p-канального типа. Эти продукты неизменно отвечают самым высоким требованиям к качеству и производительности в ключевыx спецификацияx для проектирования систем электропитания, такиx как сопротивление при включении и эксплуатационные xарактеристики.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:BSZ180P03
Fall Time:3 ns
Rise Time:11 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeP
Package TypePG-TSDSON-8
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSDSON-8
Part # Aliases:BSZ180P03NS3E G SP000709740
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:30 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:40 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:39.6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:18 S
Maximum Continuous Drain Current39.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance:13.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация