BSZ16DN25NS3GATMA1,Power MOSFET, N Channel, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8975303652
- Артикул
- BSZ16DN25NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 8.6 nC
- Type
- 1PCSNChannel
- V(DS)
- 250 V
- Brand:
- Infineon Technologies
Цена по запросу
(от 351 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукты Infineon 250V OptiMOS - это передовые теxнологии, идеально подxодящие для синxронного выпрямления в системаx напряжением 48 В, преобразователяx постоянного тока в постоянный, источникаx бесперебойного питания (ИБП) и инвертораx для электроприводов постоянного тока.
Технические параметры
| Q(g) | 8.6 nC |
| Type | 1PCSNChannel |
| V(DS) | 250 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 62.5 W |
| Series | OptiMOS 3 |
| Package | TSDSON-8 |
| R(thJC) | 2 K/W |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Technology | OptiMOS 3 |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.389 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 3x3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 165 mOhm |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 10.9 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSZ16DN25NS3 G SP000781800 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11.4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 62.5W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 62.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11.4nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 920pF@100V |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 10.9A |
| Id - Continuous Drain Current: | 10.9 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.165 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.9 A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@32uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 62.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 165mΩ@5.5A, 10V |