BSZ15DC02KDHXTMA1, Транзистор МОП n/Транзистор P-МОП, полевой, 20/-20В, 5,1/-3,2А, 2,5Вт PG-TSDSON-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017536828
- Артикул
- BSZ15DC02KDHXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 1.4 ns, 4.7 ns
- Rise Time:
- 2 ns, 3.7 ns
Цена по запросу
(от 181,21 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon использует этот дополнительный канал P + N в режиме усиления. Он рассчитан на лавинообразное воздействие и не содержит галогенов.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 1.4 ns, 4.7 ns |
| Rise Time: | 2 ns, 3.7 ns |
| Вес, г | 0.39 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | PQFN 3x3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSZ15DC02KD H SP000961028 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 700 pC, 590 pC |
| Структура | P-МОП |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 2.8nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.9 ns, 7.4 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 419pF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12.2 ns, 11.3 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.1A;3.2A |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.1 A, 3.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5.5 S, 3.4 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 510 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms, 97 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV, 1.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.4V@110uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2.5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 55mΩ@5.1A, 4.5V |