BSZ150N10LS3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 40А, 63Вт, PG-TSDSON-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064268480
- Артикул
- BSZ150N10LS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOSTM3
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.5
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Series | OptiMOSTM3 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 3x3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 63Вт |
| Transistor Material | Silicon |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.015 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.013Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS 3 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Рассеиваемая Мощность | 63Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PG-TSDSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.013Ом |