OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 40 A, 100 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ146N10LS5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014554064
- Артикул
- BSZ146N10LS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 3.2 ns
Цена по запросу
(от 273,72 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание MOSFET транзистор PG-TSDSON-8
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 3.2 ns |
| Rise Time: | 3.2 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 3x3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSZ146N10LS5 SP001385466 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 52Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 18 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0146 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0124Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Рассеиваемая Мощность | 52Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSDSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0124Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0124 Ом |