Моя заявка (0)

BSZ130N03MSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

BSZ130N03MSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001294009
Артикул
BSZ130N03MSGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Структура
N-Channel
Особенности
-
Пороговое напряжение на затворе
-20 V, +20 V
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Минимальный заказ: 590 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой BSZ130N03MSGATMA1 от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. С таким транзистором можно уверенно управлять нагрузками благодаря току стока 31 А и напряжению сток-исток 30 В. Мощность устройства достигает 25 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0115 Ом обеспечивает его эффективную и экономичную работу. Транзистор упакован в надежный корпус PG-TSDSON-8, который гарантирует долговечность и стабильность в различных рабочих условиях. Надежный выбор для современных электронных схем – BSZ130N03MSGATMA1 станет незаменимым элементом в вашем проекте. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 31 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 25 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0115 Корпус PG-TSDSON-8

Технические параметры

Вес, г1
СтруктураN-Channel
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В