Моя заявка (0)

BSZ130N03LSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

BSZ130N03LSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001292924
Артикул
BSZ130N03LSGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
25Вт
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 57 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
Power Dissipation25Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Drain Source On State Resistance0.0108Ом
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока35А
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораPG-TSDSON
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация