Моя заявка (0)

BSZ130N03LS G, 30V 35A 13mOhm@10V,20A 25W 2.2V@250uA 1 N-channel TSDSON-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS

BSZ130N03LS G, 30V 35A 13mOhm@10V,20A 25W 2.2V@250uA 1 N-channel TSDSON-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044550658
Артикул
BSZ130N03LS G
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
2.4 ns
Rise Time:
2.6 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 36,39 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:2.4 ns
Rise Time:2.6 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TSDSON-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SP000278810 BSZ13N3LSGXT BSZ130N03LSGATMA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:9.5 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Pd - Power Dissipation:25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:2.9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:13 ns
Id - Continuous Drain Current:35 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:22 S
Rds On - Drain-Source Resistance:16.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V

Техническая документация