N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V, 8-Pin PG-TSDSON-8 BSZ12DN20NS3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030998984
- Артикул
- BSZ12DN20NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RDS-on
- 125@10V mOhm
- Mounting
- Surface Mount
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 340 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon - это N-канальный силовой МОП-транзистор. Этот МОП-транзистор обладает отличной зарядкой затвора. Он соответствует требованиям стандарта JEDEC для целевыx применений и имеет рабочую температуру 150 градусов Цельсия.
Технические параметры
| RDS-on | 125@10V mOhm |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Lead Finish | Tin |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TSDSON-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Typical Fall Time | 3 ns |
| Typical Rise Time | 4 ns |
| Структура | N-Channel |
| Max Processing Temp | 260 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Особенности | - |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 11.3 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.108 Ом |