BSZ123N08NS3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 80В, 40А, 66Вт, PG-TSDSON-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022508026
- Артикул
- BSZ123N08NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS 3
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 18 ns
Цена по запросу
(от 206,95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.07 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSZ123N08NS3 G SP000443632 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 66 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 17 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@20uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 66 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |