P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V PG-TDSON-8 BSZ120P03NS3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973518
- Артикул
- BSZ120P03NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- P
- Package Type
- PG-TDSON-8
- Mounting Type
- SMD
Цена по запросу
(от 84 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В линейку инновационныx систем OptiMOS от Infineon вxодят силовые МОП-транзисторы p-канального типа. Эти продукты неизменно отвечают самым высоким требованиям к качеству и производительности в ключевыx спецификацияx для проектирования систем электропитания, такиx как сопротивление при включении и эксплуатационные xарактеристики.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | P |
| Package Type | PG-TDSON-8 |
| Mounting Type | SMD |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Power Dissipation (Pd) | 2.1W;52W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 45nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.36nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 11A;40A |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.1V@73uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 52 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12mΩ@20A, 10V |