Моя заявка (0)

BSZ120P03NS3GATMA1, Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -40А, 52Вт, PG-TSDSON-8

BSZ120P03NS3GATMA1, Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -40А, 52Вт, PG-TSDSON-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022225416
Артикул
BSZ120P03NS3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.53
Channel Type
P
Package Type
PG-TDSON-8
Mounting Type
SMD
Цена по запросу
(от 68,88 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 40A 2.1Вт, 52Вт макс. SMD PG-TSDSON-8

Технические параметры

Вес, г0.53
Channel TypeP
Package TypePG-TDSON-8
Mounting TypeSMD
СтруктураP-МОП
Transistor PolarityP Channel; Continuous Drain Current Id
Power Dissipation (Pd)2.1W;52W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)45nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)3.36nF@15V
Maximum Drain Source Voltage30 V
Continuous Drain Current (Id)11A;40A
Maximum Continuous Drain Current40 A
Пороговое напряжение на затворе3.1V@73uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт52
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)12mΩ@20A, 10V

Техническая документация