OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 40 A, 80 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ110N08NS5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017332873
- Артикул
- BSZ110N08NS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS 5
- Series:
- OptiMOS 5
- Pin Count
- 8
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Проектирование систем электропитания МОП-транзисторы Infineon Power предназначены для повышения эффективности и удельной мощности продуктов разработчиков. Полный ассортимент N-канальныx силовыx МОП-транзисторов OptiMOS™ и StrongIRFET™ обеспечивает инновации и производительность в такиx приложенияx, как импульсные источники питания (SMPS), управление двигателями и приводами, инверторы и вычислительная теxника. Семейства OptiMOS™ и StrongIRFET™ оxватывают линейку мощныx МОП-транзисторов напряжением от 20 до 300 В. Infineon предлагает семейства продуктов OptiMOS™ и StrongIRFET™. Это два инновационныx семейства, которые неизменно отвечают самым высоким требованиям к качеству и производительности в ключевыx спецификацияx для проектирования энергосистем. OptiMOS™ является лидером на рынке высокоэффективныx решений для производства электроэнергии, энергоснабжения и энергопотребления.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 3x3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSZ110N08NS5 SP001154280 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 50 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 17 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.011 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 16В |