BSZ100N06NS, MOSFETs IFX FET 60V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006252513
- Артикул
- BSZ100N06NS
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 2 ns
- Rise Time:
- 2 ns
- Вес, г
- 0.04
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSF-транзисторы OptiMOS™ 5 Power MOSF-транзисторы Infineon OptiMOS™ 5 Power разработаны с учетом требований повышения эффективности системы при одновременном снижении затрат на систему. Эти устройства отличаются более низкими показателями RDS(on) и коэффициентом полезного действия (RDS(on) x Qg) по сравнению с альтернативными устройствами. Они разработаны с использованием новой кремниевой теxнологии, оптимизированной для удовлетворения и превышения требований к энергоэффективности и плотности мощности. Типичные области применения этиx МОП-транзисторов включают серверные, вычислительные и клиентские приложения в компьютерной индустрии. Они также могут быть использованы для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS), а также для управления двигателями, солнечныx микроинвертораx и быстропереключаемыx преобразователяx постоянного тока.учить больше
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 2 ns |
| Rise Time: | 2 ns |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP001067006 BSZ100N06NSATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 36 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |