BSZ100N06LS3G, Транзистор N-MOSFET 60В 20А 50Вт 0.0103Ом [DFN3X3-8L.]
![BSZ100N06LS3G, Транзистор N-MOSFET 60В 20А 50Вт 0.0103Ом [DFN3X3-8L.]](https://static.epl-electro.ru/lib/656/DOC059656184.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001728916
- Артикул
- BSZ100N06LS3G
- Бренд
- EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
- Вес, г
- 0.16
- Корпус
- PDFN-8_3x3
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- Enhancement Mode
Цена по запросу
(от 51,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.16 |
| Корпус | PDFN-8_3x3 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.1…2.1 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0082Ом/20А, 10В |