Моя заявка (0)

OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 46 A, 60 V, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ099N06LS5ATMA1

OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 46 A, 60 V, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ099N06LS5ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033013703
Артикул
BSZ099N06LS5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
OptiMOS™
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный силовой MOSFET-транзистор серии Infineon OptiMOS™. Он отлично подxодит для беспроводной зарядки, создания адаптеров и телекоммуникационныx приложений.

Технические параметры

SeriesOptiMOS™
Pin Count8
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeTSDSON-8 FL
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation36Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Gate Threshold Voltage2.3V
Maximum Drain Source Resistance0.0099 Ω
Drain Source On State Resistance0.0083Ом
Maximum Continuous Drain Current46 A
Линейка ПродукцииOptiMOS
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока40А
Рассеиваемая Мощность36Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.7В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTSDSON-FL
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0083Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А46
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0083 Ом

Техническая документация