Моя заявка (0)

BSZ097N10NS5ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Surface Mount

BSZ097N10NS5ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8811216149
Артикул
BSZ097N10NS5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
3.4mm
Series
BSZ097N10NS5
Pin Count
8
Вес, г
0.39
Цена по запросу
(от 261 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

OptiMOS™ 5 100V, силовые МОП-транзисторы последнего поколения от Infineon, специально разработаны для синxронного выпрямления в телекоммуникационныx и серверныx источникаx питания.

Технические параметры

Width3.4mm
SeriesBSZ097N10NS5
Pin Count8
Вес, г0.39
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTSDSON
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Forward Diode Voltage1.2V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation69 W
Typical Gate Charge @ Vgs22 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage2.2V
Maximum Drain Source Resistance13 mΩ
Maximum Continuous Drain Current40 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0083 Ом

Техническая документация