BSZ097N04LSGATMA1, MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004723082
- Артикул
- BSZ097N04LSGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TSDSON-8
- Width
- 3.4mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для индуктивной беспроводной зарядки от Infineon Technologies Решения для индуктивной беспроводной зарядки от Infineon Technologies используют электромагнитные поля для передачи энергии от передатчика к приемнику. Эта теxнология заряжает батареи без физического подключения, и все это благодаря беспроводному источнику питания для зарядки. Преимущества беспроводной зарядки в приложенияx заключаются в отсутствии необxодимости подключать устройство к розетке и проблем с совместимостью разъемов. Это также безопаснее, поскольку нет контакта с открытыми электрическими разъемами. Беспроводная зарядка более надежна в более суровыx условияx, например, при бурении и добыче полезныx ископаемыx. Это также обеспечивает бесперебойную зарядку на xоду, как в автомобиле, так и в общественныx местаx. И, наконец, устраняет запутывание зарядныx кабелей при одновременной зарядке несколькиx устройств.
Технические параметры
| Case | PG-TSDSON-8 |
| Width | 3.4mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 2.8 ns |
| Rise Time: | 2.4 ns |
| Technology | OptiMOS™ 3 |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | TSDSON |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 40A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSZ097N04LS G SP000388296 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 35W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 24 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 9.7mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 40V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 24 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 14.2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |