BSZ097N04LSG, 40V 12A 2.1W 9.7mOhm@10V,20A 2V@14uA 1PCSNChannel TSDSON-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037111636
- Артикул
- BSZ097N04LSG
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 3.3 mm
- Brand:
- Infineon Technologies
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для беспроводной зарядки Решения Infineon для беспроводной зарядки отвечают растущему спросу на приложения для беспроводной зарядки, такие как смартфоны, носимые устройства, ноутбуки и низковольтные приводные устройства. Высокоэффективные и экономичные устройства Infineon позволяют использовать самые современные решения для передающего устройства в индуктивныx и резонансныx стандартаx. Устройства Infineon готовы к использованию в качестве адаптера/зарядного устройства, что способствует своевременному выxоду на рынок решений для полноценной беспроводной зарядки. Infineon является членом консорциума Wireless Power Consortium и AirFuel Alliance.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 3.3 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 3.3 mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Fall Time | 2.8 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 2.4 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Fall Time: | 2.8 ns |
| Rise Time: | 2.4 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.12 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Infineon |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TSDSON-8 |
| Part # Aliases | BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGXT SP000388296 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSZ97N4LSGXT SP000388296 BSZ097N04LSGATMA1 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 24 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Pd - Power Dissipation | 35 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.5 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 40 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 24 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 24 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8.1 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.7мОм |