OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ0904NSIATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8729332930
- Артикул
- BSZ0904NSIATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSZ0904NSIATMA1 от производителя INFINEON - это высокопроизводительный компонент для современных электронных устройств. Отличается монтажом типа SMD, что обеспечивает удобство в интеграции с печатными платами. Ток стока достигает 40А, а напряжение сток-исток - 30В, что гарантирует эффективную работу в широком диапазоне применений. Мощность транзистора составляет 37Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,004 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности и низких потерях при работе. Транзистор упакован в корпус PG-TSDSON-8, обеспечивающий надежность и долговечность. BSZ0904NSIATMA1 идеально подходит для разработки силовой электроники, управления двигателями и других областей применения, где требуется надежность и эффективность. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 40 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 37 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.004 Корпус PG-TSDSON-8
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.2 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TSDSON EP |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SON |
| Typical Fall Time (ns) | 3 |
| Typical Rise Time (ns) | 4.4 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2100 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 17 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.5@4.5V|17@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.3 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 16 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 18 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1100@15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4@10V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 37 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0033 Ом |