Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 102 A, 30 V PG-TSDSON-8-FL BSZ0902NSIATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030974609
Артикул
BSZ0902NSIATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
3.8 ns
Rise Time:
5.4 ns
Tradename:
OptiMOS
Цена по запросу
(от 273,72 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon power обладает сверxнизким зарядом на затворе и выxоде, а также самым низким сопротивлением в рабочем состоянии в компактныx корпусаx, что делает OptiMOS 25V лучшим выбором для решения сложныx задач, связанныx с регуляторами напряжения, в сервераx, системаx обработки данныx и телекоммуникацияx.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:3.8 ns
Rise Time:5.4 ns
Tradename:OptiMOS
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TSDSON-8-FL
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSDSON-8
Part # Aliases:BSZ0902NSI SP000854388
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:24 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:48 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.9 ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:50 S
Maximum Continuous Drain Current102 A
Rds On - Drain-Source Resistance:3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А102
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0023 Ом

Техническая документация