OptiMOS P P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON BSZ086P03NS3EGATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016818188
- Артикул
- BSZ086P03NS3EGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 3.4mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS P
- Series:
- BSZ086P03
Цена по запросу
(от 91 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ разработаны таким образом, чтобы обеспечить расширенные возможности и высокое качество исполнения.
Технические параметры
| Width | 3.4mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS P |
| Series: | BSZ086P03 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 46 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TSDSON |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSZ086P03NS3E G SP000473016 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 57.5 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 69 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 43.2 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.9V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 30 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 13.4 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 69 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |