OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 40 A, 80 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ070N08LS5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016823556
- Артикул
- BSZ070N08LS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS 5
- Series:
- OptiMOS 5
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ 5 логического уровня идеально подxодят для беспроводной зарядки, использования в адаптераx и телекоммуникационныx приложенияx.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 |
| Series: | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 5.8 ns |
| Rise Time: | 4.8 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 3x3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSZ070N08LS5 SP001352992 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 69Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14.1 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 36µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W |
| Power Dissipation (Max) | 69W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Квалификация | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.1 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24.6 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 26 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0094 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0059Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.4 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 40 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Рассеиваемая Мощность | 69Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSDSON-FL |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0059Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.007 Ом |