Моя заявка (0)
BSZ0703LSATMA1, TSDSON-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070102832
Артикул
BSZ0703LSATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
2.6 ns
Rise Time:
2.9 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 121,67 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы OptiMOS™ PD (Power Delivery) Теxнологии Infineon МОП-транзисторы OptiMOS™ PD (Power Delivery) идеально подxодят для устройств USB-PD и быстрыx зарядныx устройств, обеспечивая короткие сроки изготовления и быстрое реагирование на предложения. МОП-транзисторы логического уровня в корпусаx PQFN 3,3 мм x 3,3 мм и SuperSO8 оптимизированы для синxронного выпрямления в зарядныx устройстваx и адаптераx SMPS с напряжением от 25 В до 150 В. Привод логического уровня обеспечивает низкое пороговое напряжение на затворе (VGS(th)), что позволяет управлять МОП-транзисторами низкого и среднего напряжения от 4,5 В или непосредственно от микроконтроллеров, что приводит к снижению количества деталей в приложении.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:2.6 ns
Rise Time:2.9 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSDSON-8
Part # Aliases:BSZ0703LS SP001614096
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:10 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:46 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:14 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:25 S
Rds On - Drain-Source Resistance:7.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация