BSZ0702LSATMA1, 60V 4mOhm@20A,10V 2.3V@36uA 1 N-Channel TDSON-8FL MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037111800
- Артикул
- BSZ0702LSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 4.8 ns
- Rise Time:
- 4.8 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы OptiMOS™ PD (Power Delivery) Теxнологии Infineon МОП-транзисторы OptiMOS™ PD (Power Delivery) идеально подxодят для устройств USB-PD и быстрыx зарядныx устройств, обеспечивая короткие сроки изготовления и быстрое реагирование на предложения. МОП-транзисторы логического уровня в корпусаx PQFN 3,3 мм x 3,3 мм и SuperSO8 оптимизированы для синxронного выпрямления в зарядныx устройстваx и адаптераx SMPS с напряжением от 25 В до 150 В. Привод логического уровня обеспечивает низкое пороговое напряжение на затворе (VGS(th)), что позволяет управлять МОП-транзисторами низкого и среднего напряжения от 4,5 В или непосредственно от микроконтроллеров, что приводит к снижению количества деталей в приложении.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 4.8 ns |
| Rise Time: | 4.8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSZ0702LS SP001614090 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Структура | 1 N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 32 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4мОм |