BSZ068N06NSATMA1, Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002180430
- Артикул
- BSZ068N06NSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS™
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.16
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 212 ₽)
Минимальный заказ: 75 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Series | OptiMOS™ |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.16 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TSDSON-8 FL |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Power Dissipation (Pd) | 2.1W;46W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 21nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.5nF@30V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 40A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0068 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 63 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 46 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |