BSZ067N06LS3 G, 60V 20A 6.7mOhm@10V,20A 69W N Channel TSDSON-8(3.3x3.3) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025032135
- Артикул
- BSZ067N06LS3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS 3
- Fall Time:
- 7 ns
- Rise Time:
- 26 ns
Цена по запросу
(от 163,26 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 26 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.15 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSZ67N6LS3GXT SP000451080 BSZ067N06LS3GATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 51 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 69W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 25 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@35uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 69 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.7mΩ@10V, 20A |