BSZ065N03LSATMA1, MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004635357
- Артикул
- BSZ065N03LSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 3.4mm
- Series
- OptiMOS
- Military
- No
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 84,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
Технические параметры
| Width | 3.4mm |
| Series | OptiMOS |
| Military | No |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.25 |
| Длина | 3.3 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TDSON |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Package | TSDSON EP |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Standard Package Name | SON |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 2.4 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 26 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.2 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TSDSON-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.6 mΩ |
| Время нарастания | 3.4 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2100 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 10 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 10@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 12 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 670@15V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 6.5@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 26 W |
| Другие названия товара № | BSZ065N03LS SP000799084 |
| Id - непрерывный ток утечки | 49 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 34 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |