BSZ060NE2LSATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 25В, 40А, 26Вт, PG-TSDSON-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070050208
- Артикул
- BSZ060NE2LSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 3.4mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 67,50 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| Width | 3.4mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 1.8 ns |
| Rise Time: | 2.2 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TSDSON |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSZ060NE2LS SP000776122 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 26Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.1 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 26 W |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W(Ta), 26W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 26 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.1 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.5 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 34 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.1 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.005Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 12 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A(Ta), 40A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Рассеиваемая Мощность | 26Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSDSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.005Ом |